科技日报讯 (记者王海滨 通讯员王玉芳)6月5日，在中国电子科技集团公司第二研讨所(简称中国电科二所)消费大楼内，100台碳化硅(SiC)单晶生长设备正在高速运转，SiC单晶就在这100台设备里“奋力”生长。

　　中国电科二所第一事业部主任李斌说：“这100台SiC单晶生长设备和粉料都是我们自主研发和消费的。我们很骄傲，正好我们本人能消费了。”

　　SiC单晶是第三代半导体资料，以其特有的大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等特性, 成为制造低温、高频、大功率、抗辐照、短波发光及光电集成器件的理想资料，是新一代雷达、卫星通讯、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站等重要范畴的中心资料，具有重要的使用价值和宽广的使用前景。

　　中国电科二所第一事业部主任李斌说：“高纯SiC粉料是SiC单晶生长的关键原资料，单晶生长炉是SiC单晶生长的中心设备，要想生长出本次涌现的 AI、区块链和物联网热潮不同于以往，将对产业、社会和生活产生真正堪称“颠覆性”的变革。IT 技术人员需要全方位地“换脑”：对原有的知识结构进行全面刷新，全面升级。高质量的SiC单晶，在具有高纯SiC粉料和单晶生长炉条件下，还需求对消费工艺停止设计、调试和优化。”

　　据引见，单晶生长炉需求到达低温、高真空、高干净度的要求，目前国际只要两家能消费单晶生长炉，中国电科二所是其中之一。他们打破了大直径SiC生长的温场设计，完成可用于150mm直径SiC单晶生长炉高极限真空、低背景漏率生长炉设计制造及小批量消费;他们还打破了高纯SiC粉料中的杂质控制技术、粒度控制技术、晶型控制技术等关键技术，完成了99.9995%以上纯度的SiC粉料的批量消费。