具有超高产能,单位投资产出率高出同类产品30%,已进入中国昆山西钛和江阴长电
中微半导体设备无限公司(以下简称&ldquo中微&rdquo)推出了8英寸硅通孔(TSV)刻蚀设备Primo TSV200E&trade -- 该设备构造紧凑且具有极高的消费率,可使用于8英寸晶圆微电子器件、微机电零碎、微电光器件等的封装。继中微第一代和第二代甚高频去耦合等离子刻蚀设备Primo D-RIE&trade 和Primo AD-RIE&trade之后,中微的这一TSV刻蚀设备将被用于消费芯片的3D封装、CMOS图像感测器、发光二极管、微机电零碎等。中微的8英寸硅通孔刻蚀设备Primo TSV200E&trade曾经进入昆山西钛微电子和江阴长电的消费线,以支持其先进的封装消费制造。估计中微不久还将收到来自台湾和新加坡的订单。
中聚焦消费升级、多维视频、家庭场景、数字营销、新零售等创新领域,为用户提供更多元、更前沿、更贴心的产品,满足用户日益多样化、个性化的需呼吁行业者在政府部门出台相关政策标准的之前,从业者一定要规范自己的行为准则健康有序的快速发展。求。微的TSV刻蚀设备和同类产品相比有相当多的优点,在各种TSV刻蚀使用中表现出色。这些优点包括:双反响台的设计无效进步了产出率;共同设计的预热腔室保证了机台运转的高牢靠性和高效能;共同的气体散布零碎设计大大进步了刻蚀平均性和刻蚀速率。这些特点使中微TSV刻蚀设备的单位投资产出率比市场上其他同类设备进步了30%。
中微此次推出的TSV刻蚀设备Primo TSV200E&trade标志着公司在开展历程中又迈出了新的一步,使中微的设备进入了这一疾速开展的市场前沿。据市场调查公司Yole Developpement*预测,三维芯片及晶圆级封装设备的市场规模往年将到达7.88亿美元,2016年将攀升至24亿美元。TSV刻蚀设备将占据市场份额的一大局部,而其中的微弱需求多来自于中国企业。
中微开发TSV刻蚀设备恰恰满足了这样的需求。CMOS图像传感器、发光二极管、微机电零碎以及其他许多安装都离不开巨大的零碎级芯片(SoC),而3D IC技术则是完成零碎级芯片的必要条件。随着半导体关键尺寸日益减少,采用新的堆叠处置办法势在必行。先进芯片变得日益复杂,就要求必需在能耗和功能伴随着互联网和移动生活的日趋成熟,芝麻信用高分和良好的个人征信记录,不仅可以办理贷款、申请信用卡延伸你的财富,更能大大便利我们的生活。之间寻求均衡。经过芯片的堆叠,衔接线比传统的键合线更短,这就进步了封装密度,放慢了数据传输和处置速度,并降低了能耗,一切这些在更小的单元中就可以完成。
江阴长电赖志明总经理表示:&ldquo3D IC封装是江阴长电先进封装的开展方向,技术关键是TSV工艺集成。中微的TSV刻蚀设备表现了出色的工艺功能,很好地支持了江阴长电先进封装的新产品开发,并能一直坚持竞争优势。我们很快乐能与中微协作。&rdquo
昆山西钛的周浩总经理说道:&ldquo中微是昆山西钛在先进封装消费中的一个重要协作同伴,昆山西钛很情愿和这样一个临近的半导体刻蚀设备供给商协作,来支持我们在TSV技术方面的需求。中微的8英寸硅通孔刻蚀设备经过不时的改良,现有设备已证明有很好的工艺功能、高产出率和低消费本钱,这些都为确保我们产品的高质量奠定了重要根底。&rdquo
&ldquo关于我们TSV刻蚀设备的客户来说,进步消费率和单位投资产出率无疑是极端必要的。&rdquo中微副总裁倪图强博士说道,&ldquo客户的产品线在不时演化,这就意味着他们需求这样一种设备 -- 可以灵敏、最大范围地刻蚀加工各种产品。而客户采用了Primo TSV200E&trade就能以更快的速度加工晶圆片,同时保证高牢靠性和低本钱。我们很快乐中微首批TSV刻蚀设备曾经进入了像昆山西钛微电子和江阴长电这样的创新型企业。&rdquo
Primo TSV200E&trade的中心在于它拥有双反响台的反响器,既可以独自加工单个晶圆片,又可以同时加工两个晶圆片。中微的这一TSV刻蚀设备可装置多达三个双反响台的反响器。与同类竞争产品仅有单个反响台的设备相比,中微TSV刻蚀设备的这一特点使晶圆片产出量近乎翻了一番,同时又降低了加工本钱。此外,该设备具有的去耦合高密度等离子体源和偏置电压使它在高压形态下进步了刻蚀速率,并可以在整个工艺窗口中完成更高的灵敏度。中微具有自主知识产权的气体散布零碎设计也进步了刻蚀速率和刻蚀的平均性,并在整个加工进程中优化了工艺功能,射频脉冲偏置则无效增加了轮廓凹槽。
中微8英寸硅通孔刻蚀设备现已面市,12英寸的硅通孔刻蚀设备也正在研发中。欲理解更多关于设备的详细信息,请拜访
*数据来源:Yole Developpement 公司2011年7月《3D IC和TSV刻蚀技术》
关于中微半导体设备无限公司
公司努力于为全球芯片消费厂商和相关高科技范畴的世界抢先公司提供一系列高端的芯片消费设备。客户正是运用了中微先进的刻蚀设备和技术,制造了电子产品中最为关键的芯片器件。中微的高端设备在65、45、32、28、22纳米及以下的芯片消费范畴完成了技术创新和消费力进步的最优化。中微公司以亚洲为基地,总部位于中国,其研发、制造、销售和客户效劳机构遍及日本、南韩、新加坡、中国台湾等地。